来搞研究可以，搞批产不太好。
他跨过接触式光刻，使用了接近式光刻，实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离，在10μm这个数量级，这样就可以避免掩模的损坏了。
坏处嘛，接近式光刻的分辨率比接触式的要差，最好的情况，大概在2μm的样子，这对于高振东现在来说是够用的。
使用接近式光刻，掩模和工件是分开的，这对于搞自动化光刻是有利的，这就是高振东将掩模放进光学系统的原因，掩模在光学系统里基本不动，运动的是工件台。
找平之后，工件台控制硅片向掩模接近，最终达到设计中所设定的距离——20μm。
这一次不用太过仔细的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。
接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。
显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计她的眼睛都花了，最终她抬起头，面带喜色的向高振东点了点头。
这次的掩模，是工艺测试用标准掩模，看她这个样子，至少分辨率10μm是没问题了。
“高师兄，和我们以前测试的一样，线宽10μm没有问题，很稳定。”
如果成像质量有问题，那就得将硅片取出来，洗去光刻胶，准备从头再来。
这年头，硅片很贵的，不能浪费，哪怕是到了几十年后，硅片没那么贵了，但还得洗，如果问题出在工艺的中后期的光刻道次上，前面的工艺也贵啊！
高振东心中激动，向她点点头，示意继续。
接下来按照正常的集成电路工艺，应该是送到其他工序去，根据光刻目的的不同，进行诸如蚀刻、掺杂、离子注入、金属去除等，但是这是测试光刻机的分辨率和套刻精度，这工序就不用做了，而且也没法做，这儿没那些东西。
比如蚀刻，看起来简单，腐蚀就行，但实际上背后靠着一整条比较特殊的安全管理线，这边也建立一条那玩意，就搞麻烦了，又不是经常要用到。
就更别提掺杂这些需要设备的工序了，更是没法做。
考虑到显影之后，光刻胶就只剩下了需要的那一部分，试验人员的想法，是再上一次光刻胶，看看两次光刻显影结果的重叠程度。
这也算是个笨办法，如果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。
光是线宽10μm，其实光刻机的制程是到不了10μm的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。
凡是做集成电路，哪怕工艺简单如PMOS，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。