n结构我就我考你了，我来考考你双向晶闸管的工作原理，你吧双向晶闸管的工作原理和特性给我说一遍吧！”
陆军点了点头，说道：“嗯！双向晶闸管与单向晶闸管一样，也具有触发控制特性。
不过，它的触发控制特性与单向晶闸管有很大的不同，这就是无论在阳极和阴极间接入何种极性的电压，只要在它的控制极上加上一个触发脉冲，也不管这个脉冲是什么极性的，都可以使双向晶闸管导通。
因为双向晶闸管具有两个方向轮流导通、关断的特性，双向晶闸管实质上是两个反并联的单向可控硅，是由npnpn五层半导体形成四个pn结构成、有三个电极的半导体器件。
由于主电极的构造是对称的（都从n层引出），所以它的电极不像单向晶闸管那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极t1，另一个叫做第二电极t2。
双向晶闸管的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。
这是因为双向晶闸管在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向晶闸管元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。”
一直插不上话，百无聊赖的付新这时找到了话题，看来陆军说得对，研究双向晶闸管之前，必须把单向晶闸管给吃透，不然会有麻烦。果然，陆军现在就出了问题，付新说道：“军哥，你还漏说了一点。
由于双向晶闸管的两个主电极没有正负之分，所以它的参数中也就没有正向峰值电压与反同峰值电压之分，而只用一个最大峰值电压。不过你没有画伏安特性曲线，出现这个问题也正常。”
黄老爷子意外地看了付新一眼，没想到付新也懂这个，黄老爷子在心底想到：“看来这小子小小年纪就坐到了厂长的位置，是由真本事的！”
不过他对付新的印象依然不是很好，只是淡淡地说道：“没想到你也懂啊，那……”
陆军见形势又不对，立即插嘴为付新解围道：“黄伯伯，付厂长他很厉害的，他的技术，在我们厂里那绝对是排第一，不过他平时工作太多，没有把全部精力放在研发上去就是了。”
黄老爷子对陆军打断他说话有些不满，不过他懂了陆军的意思，也就没有提出之前的问题，而是不高兴地说了一句：“不务正业！”
付新囧了，他知道这黄老爷子要考考他，他对这个，根本不怕，心想着让黄老爷更进一步改变对自己的印象，没想到陆军自作多情，帮他解围，帮了倒忙。这些基础知识，如果付新被考住，那可真是与眼前这个老头子无缘了！
但是，泥人也有三分火气，三番两次地被这老爷子弄得尴尬，付新终于忍不住了，于是故意找了一个难题，向黄老爷子诚恳地问道：“老爷子，我以前听说过一种英文缩写名叫做igbt，全称叫做insulated_gate_bipolar_transistor的绝缘栅双极型晶体管，它是由bjt，双极型三极管和mos，绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。
可是我一直搞不懂它的工作特性，为什么分静态特性和动态特性，静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性，动态特性我只知道一个，是igbt在开通过程中，大部分时间是作为mosfet来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期，pnp晶体管由放大区至饱和，因此又增加了一段延迟时间。我想问您，你知道这个这个igbt绝缘栅双极型晶体管的工作特性为什么会这样吗？”(未完待续。如果您喜欢这部作品，欢迎您来起点投推荐票、月票，您的支持，就是我最大的动力。手机用户请到阅读。)
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