和半导体存储器，根本用不上。
或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。
Intel 4004，10μm的PMOS。
8008，10μm的PMOS。
首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。
首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。
大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。
彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。
至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。
这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
工序更少、工艺更简单、良品率更高
对于量产来说，这些特么可都是钱呐！
而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。
MOS技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。
在同代次内，更改MOS电路的设计，对于MOS的工艺没有任何影响，MOS电路的性能的改变，是通过改变MOS场效应管的几何设计来实现的。
双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是MOS电路就不，它的工艺是不变的。
而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了MOS集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。
除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。
——它做不小！但是MOS可以！
这个情况的原因很多。
一来，MOS管子的面积天生就比双极型要小。
二来，双极型晶体管需要隔离PN结或者隔离井，MOS不需要。
第三，MOS天生就提供了两层互连，这让它的内部布线更为方便。
MOS的这么多优点，又带来了一些系统级别的衍生好处，诸如系统性能更高、设计可预测性更好、可靠性和维护性更好等等。
有趣的是，实际上MOS场效应管概念的提出，要比双极型管子早，之所以普及更晚，是受工艺的制约。
这就好像汽车，电动车的概念比蒸汽车、内燃车更早，那是十九世纪末期的事情，但是真正大规模实用，
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