候，我们这帮人也没闲着，是已经把FinFET制程技术提高一个档次。不过这种制程技术还不是很完美，还没有突破100纳米。”
胡明镇有些遗憾的摇摇头，确认章钕京给许振鸣提供的消息。他现在也在苦恼，还有些自我怀疑，认为FinFET制程技术的理论有问题。
按照胡明镇的设想，FinFET制程技术可以无限提高，蚀刻在硅晶圆片上的物理电路图可以无限提高和叠加层次，最后能达到分子级别。
“分子层才是硅芯片的极限。只要我们能做到这种光刻水平，三代光刻机就能够用了，无需在激光的光源方面做文章。”胡明镇如是说道。
他这番理论倒是可以理解，但目前的技术手段达不到。
故此，胡明镇已经不自信了，开始自我怀疑FinFET制程工艺的理论。硅晶圆的晶体结构特点好像并不适合FinFET制程工艺，这项制程工艺无法到达极限。
“达不到极限也没关系，我们现在能做出四层蚀刻。再加把力，只要能做到八层蚀刻足够应对各种局面。”
这时候，刚刚来到的章钕京却张开大嘴，大笑着说道。
他很乐观，认为最近不久才取得突破的FinFET制程技术很值得庆贺一番，并且想要请许振鸣给予赐名。
因为做制程技术试验花费比较多，他们的团队成员们正在讨论方案，修改上次试验过程中存在错误程序，并没把这种不成熟的技术当作项目汇报上来。
许振鸣根本不在意章钕京解释的内容，随意的一挥手，“章总、胡主任、章主任，咱们现在要讨论的问题是FinFET制程工艺得到提高，成本有没有下降？”
按照惯例，许振鸣给新一代FinFET制程工艺技术取名为“FinFET+1”的Foundry制程工艺。他希望这项技术能继续升级下去，直至达到n+1这种境界，达到胡明镇所提及的分子层境界。
但目前来说，这项技术提高之后，原来的FinFET制程工艺有没有提高。这才是许振鸣所关心的。