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044 上上强度(4K)

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    冰芯内部的庆功宴并不正式,或者,与其说是庆功宴,不如说是弥合内部技术争端的一个仪式。

    很显然,当梁孟淞抛出他在大量工作基础上的技术直觉之后,这个仪式很圆满。

    后闸极无可置疑的成为冰芯在28nm制程节点的技术方案,而同样耗费了研发精力的前闸极将可能作为冰芯下一个制程的方案。

    只要没有太过浪费,只要没有太过做无用功,那就是好的,更何况,现在比想象中还更有用一些,不少人的情绪得到很大的缓解。

    等到方卓陪着胡正明教授在科大校园里漫步,谈到这件事,他不由得笑道:“谁说梁博士性子直,他这次就特别好。”

    “人都是会变的,他在台记那边坐冷板凳,来到这边有你的鼎力支持,有技术上的逐渐追进,他是愿意也有能力处理好这些事情的。”胡正明微微一笑。

    他继续说道:“况且,他这次用事实再次有力证明了他在技术领域的实力,以一种真理掌握在少数人手里的姿态推出后闸极方案,这对接下来的工作也很重要。”

    方卓默默点头,走了一段路又笑道:“我不会是最后一个知道的吧?”

    “那也不是。”胡正明指的正是冰芯下一步制程的超车发展,“这个事需要慎重,需要研发的结果支持,即便这样也还是没有把握,梁孟淞现在和你说,也有拉着你一起赌一把的意思。”

    “那我应该支持吗?”方卓想聆听更多的意见。

    “你知道为什么会有这样选择的可能吗?”胡正明反问。

    “因为FinFET技术。”方卓回答。

    “一个重要原因是这,FinFET把逻辑单元结构从平面2D转为立体3D,这和之前的技术就有了很大的差异性,而不是顺理成章的推进。”胡正明缓缓说道,“晶体管不能无限制的缩小,当它缩小到20nm左右就会遇到量子物理中的问题。”

    他继续说道:“当年我就是为了解决里面的漏电现象而进行了改善,引入FinFET既能减少因物理现象所导致的漏电,也能增加接触面积,对继续缩小尺寸有帮助。”

    胡正明见方总极其认真的听讲,笑道:“问题就在于这个20nm临界点,这个制程节点既可以延续原来的技术架构,也可以导入FinFET。”

    方卓点头道:“英特尔选择在这个节点附近导入FinFET,台记选择不导入,三星大概也是不导入。”

    这是来自厂商公布的技术路线方案,三星那边现在只谈了28nm的情况。

    因为制程节点的特殊性,大家的选择类似于前后闸极方案再次出现了分岔。

    “邱总呢他判断20nm这个点在市场上的作为就像90nm那样鸡肋,梁孟淞呢,他认为这样有过渡性质的节点是可以通过导入FinFET而有所突破的。”胡正明说到这里又补了一句,“当然,也是考虑到冰芯发展的特殊情况,我们的局势总是更难一些。”

    方卓凝眉细思发现还是想听听胡教授这位大专家的意见:“胡教授,如果是你,你要怎么决策?”

    冰芯在技术工艺上面临特殊的选择,也正如它在外界也可能会面临特殊的对待。

    这种关头按部就班的研发20nm是个很稳妥的选择,激进研发下一代14nm的风险就大多了。

    “很难决策啊。”胡正明由衷的说道,“如果是一个月前,你这么问我,我还是支持搞20nm,因为我们一直有在多线的做这方面。”

    冰芯的先进制程研发不是线性的,而是多团队的展开。

    “但是,现在,面对这样挥斥方遒的梁孟淞,我也很犹豫。”

    胡正明叹道:“方总,制程研发牵一发而动全身,不仅是冰芯的事,也关系着易科的未来,还涉及上下游的方方面面,我实在没法提供更多的决策。”

    冰芯的进步是易科长久成功的基础,这个基础一动,搭建在上面的成功都在冒险。

    方卓许久才点了下头,陪着胡教授在校园里漫步和思考。

    两人安静的走了一段路,碰见有热情的学生打招呼。

    胡正明笑着回应,又关心了几句这位微电子学院学

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