，晶圆产线上的设备数量也较多，特别是近年来随着制造工艺的向着微米以下不断进步，集成电路的线宽越来越小，工艺复杂度越来越高，所需的工序数也大幅上升。
一条产线中，工序多达几百上千道，仅仅光刻工序都有三十多道，其中比较靠前的关键工序对线宽要求较为严格，而比较靠后的非关键工序对线宽要求则较低。
比如此刻蔡氏晶圆厂的产线上现在就有两种或两种上光刻机，这是因为并不是所有的工序里都是最窄的线宽。
晶圆有很多层，仅最初的的几层需要做到最窄的线宽。以300nm（3微米）工艺为例，制造晶圆时，仅最初的几层光刻的线宽为300nm，需要用到更先进的光刻机，之后的工序，对介质、金属的光刻，以及刻沟槽等的，都不需要用到300nm的线宽，500nm线宽也能满足要求。
更先进的光刻机成本更高，这样合理使用，能够有效降低设备成本。
而氧化、高温、退火等炉管机台和刻蚀机的单机产能较小，成为了产能的瓶颈，CVD设备、PVD设备和研磨机的单机产能也较小，因此需要的数量较多。
为保证产能，需要更多的设备来满足产能要求，因此平均下来的单机产能较小。
相对于蔡氏晶圆厂4英寸3微米制程的技术标准，曰本或者湾湾那些最先进晶圆厂而言，它们领先了约两个世代，他们的竞争优势更大，再通过先行折旧更是一个扩大优势的狠招。
因为技术差距有数年之差异，当后进者能大购新机准备进入量产时，先进者已经完成折旧而没有折旧成本了，后进者在制造成本上就怎么打得赢。
若技术及量产时刻能数年领先，再加上加速3年折旧，那威力更惊人。前3年加速折旧，因没有竞争对手可以来抢单，单价可以高到纵有很重的折旧成本都可以不至于亏损而甚至小量获利。
数年后对手也有这种技术时，先进厂的成本中的折旧成本部分已是零了，他们就用这折旧成本优势在价格上把你打死，直到你撑不住。所以技术真正领先的人，
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